据韩国媒体Business Korea报导，三星电子已于第四季度在平泽P2厂树立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。业界也将此测试线称为“单旅途线”（one path），预期来岁第一季度将宽裕建成。
报谈称，测试产线是测试新半导体家具量产潜质的阵势，一朝下一代芯片性能在研发阶段时笃定，就会在此引进晶圆，运行提高量产良率。刻下还不笃定三星平泽10nm级第七代DRAM厂房的鸿沟，但频频装置测试产线每月可处理约1万片晶圆。
三星本年3月在好意思国举行的“MemCon 2024”举止中曾告示，经营在2026年前量产第七代DRAM，至于其前身第六代（1c）DRAM，经营来岁（2025年）量产。因此，这条第七代测试线与第六代DRAM量产的准备使命同步进行。
三星经营明岁首运行以平泽P4厂为中心引进半导体开垦，坐褥10nm级第六代DRAM，并加速良率进步的脚步，见解是来岁5月前得回里面量产认证（PRA）。此外，为了告成第六代DRAM量产，三星还将DRAM联系东谈主员从华城厂调派至平泽厂。
张开剩余49%也便是说，三星在第六代DRAM还没参加量产阶段前，就照旧运动作第七代DRAM建置厂房。外界以为，三星此举是为来岁重夺上风而提前进行投资。
作念为巨匠DRAM制造龙头大厂，三星这两年遭逢很大的打击，越过是在AI所需的HBM（高带宽内存）市集，SK海力士的市集份额大幅跳动于三星。此外，在10nm级第六代DRAM的开发速率上，三星也过时于SK海力士。
关于三星来说，若是要夺回疏通地位，必须加速家具的开发速率，这从三星的新东谈主事变动不错窥豹一斑。
三星电子副董事长全永铉（Jeon Young-hyun）从半导体业务的开垦处理决策（DS）厚爱东谈主改为CEO，同期兼任內存业务和三星概述本领院（Samsung Advanced Institute of Technology，SAIT）厚爱东谈主。他以遍及驱能源著称，预期将果敢鼓励三星本领开发和投资。
业界东谈主士讲解注解，全永铉刻下不错更密切地参与三星DRAM本领，瞻望他会从主力家具DRAM运行强力更始。
三星电子也加速投资另一种內存NAND闪存，最近该公司在平泽一厂装置业界第一条400层NAND（V10）测试线，并在平泽四厂NAND厂房添置286层V9开垦。
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